消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻以提升质量

摘要： 苹果正在与和合作开发边框缩小结构技术并在推进新一代和两款机型的边框进一步收窄技术的生产难度极高目前和三之家月日消息综合外媒和报道英特尔考虑在未来的光刻节点导入定向自组装技术进行辅助...

苹果正在与LGDisplay和SamsungDisplay合作开发边框缩小结构技术，并在推进新一代iPhone16Pro和iPhone16ProMax两款机型的边框进一步收窄。BRS技术的生产难度极高，目前LG和三

IT之家 4 月 19 日消息，综合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 报道，英特尔考虑在未来的 High NA EUV 光刻节点导入定向自组装 DSA 技术进行辅助。

DSA 是两项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一（IT之家注：另一项是纳米压印 NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性实现图案化，一般被认为适合辅助传统光刻而非独立运用。

▲ 嵌段共聚物分子在诱导下可自动排列成有规律的图案形态。图源德国默克

SemiAnalysis 认为，High NA EUV 光刻面临的一大问题就是关键尺寸（CD，衡量半导体工艺精细程度的关键指标之一）定时照射剂量和光刻机晶圆吞吐量的矛盾。

如果晶圆厂需要在保证关键尺寸的前提下拥有良好的图案化效果，那么就必须加大照射剂量，这将导致光刻过程放慢，光刻机晶圆吞吐量降低，晶圆厂成本负担加重。

而如果晶圆厂以较高的吞吐量运行光刻机，那就意味着光刻图案的质量随照射剂量的减少而下降。此时 DSA 定向自组装技术就可发挥作用，修复光刻图案上的特征错误。

引入 DSA 定向自组装可在提升光刻图案质量的同时，降低照射剂量，提升光刻机晶圆吞吐量，使 High NA EUV 光刻更具成本可行性。

除 DSA 外，英特尔也考虑在 High NA EUV 光刻中导入图案塑形技术。

应用材料公司于去年初发布了 Centura Sculpta 图案塑形系统。该系统可定向精确修改晶圆上的特征图案，减少最关键图层的光刻次数，也具有提升光刻图案质量的作用。

英特尔研究员马克・菲利普（Mark Phillip）强调：“为了提高光刻工艺的效率，有必要引入光刻机以外的设备来进行补充。”